中国の新型メモリー、1電子でAIの壁突破
復旦大学の研究チームが、1ビットを1個の電子で保存するメモリー技術を示した。
なぜ重要か
- •先端DRAMで約20万個必要とされる電子数を、理論上の限界まで減らした。
- •AI向け計算で課題となるメモリー容量や電力効率の改善につながる可能性がある。
- •中国の大学発半導体研究が、メモリー技術の競争軸を広げる。
数字で見る
- •現在の最先端DRAMでは、1ビットの保存におよそ20万個の電子が必要。
- •研究成果は7月16日付のScienceに掲載された。
- •研究チームは1ビットを1個の電子で保存した。
転用先
原文概要
復旦大学の研究チームが、1ビットの情報を1個の電子で保存するメモリー技術を示した。現在の先端DRAMでは、信頼性を確保するため約20万個の電子が必要とされる。研究成果は7月16日にScienceで発表された。